400-119-1996

详情介绍:


聚焦离子束(FIB)


测试项目:TEM/EDS截面分析,SEM/EDS剖面分析,原位TEM芯片制样
预约次数:500+次 服务周期:7-15个工作日

样品要求

1. 不能做能被磁铁吸起的粉末样品;

2. FIB-TEM块体样品可以有磁性,但是需要如实填写样品磁性情况;

3. 薄膜/块体样品最大不超过2cm,当样品过大需要切割取样。


常见问题及回答

什么是聚焦离子束技术(FIB)?

聚焦离子束技术(Focused Ion beam,FIB)是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的离子束轰击材料表面,实现材料的剥离、沉积、注入、切割和改性。FIB利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工,配合扫描电镜(SEM)等高倍数电子显微镜实时观察,成为了纳米级分析、制造的主要方法。

有什么可提供的服务?

TEM透射样品制备:对于表面薄膜、涂层、粉末大颗粒,块体等样品,在指定位置准确定位切割进行TEM样品的制备;

SEM/EDS剖面分析:FIB准确定位切割,制备截面样品,进行SEM和EDS能谱分析;

EBSD电子背散射衍射分析:进行晶体取向成像、显微织构、界面等分析;

作机械手、Omniprobe操作探针、离子束切割等的配合下,进行各种微纳结构的搬运、各种显微结构形状或图案的加工。

FIB-TEM的制样流程是什么?

1,找到目标位置(定位非常重要),表面喷Cr保护(样品导电则不用喷Cr);
2,将目标位置前后两侧的样品挖空,剩下目标区域;
3,机械纳米手将这个薄片取出,开始离子束减薄;
3,减薄到理想厚度后停止;
5,将样品焊到铜网上的样品柱上,标注好样品位置。
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